Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFB210N20P
MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Číslo dílu
IXFB210N20P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS264™
Ztráta energie (max.)
1500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
255nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
18600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53447 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFB210N20P
IXFB210N20P Elektronické komponenty
IXFB210N20P Odbyt
IXFB210N20P Dodavatel
IXFB210N20P Distributor
IXFB210N20P Datová tabulka
IXFB210N20P Fotky
IXFB210N20P Cena
IXFB210N20P Nabídka
IXFB210N20P Nejnižší cena
IXFB210N20P Vyhledávání
IXFB210N20P Nákup
IXFB210N20P Chip