Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK100N10
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA
Číslo dílu
IXFK100N10
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
360nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35219 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK100N10
IXFK100N10 Elektronické komponenty
IXFK100N10 Odbyt
IXFK100N10 Dodavatel
IXFK100N10 Distributor
IXFK100N10 Datová tabulka
IXFK100N10 Fotky
IXFK100N10 Cena
IXFK100N10 Nabídka
IXFK100N10 Nejnižší cena
IXFK100N10 Vyhledávání
IXFK100N10 Nákup
IXFK100N10 Chip