Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK102N30P

IXFK102N30P

MOSFET N-CH 300V 102A TO-264
Číslo dílu
IXFK102N30P
Výrobce/značka
Série
PolarHT™ HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
700W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
33 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
224nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52744 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFK102N30P
IXFK102N30P Elektronické komponenty
IXFK102N30P Odbyt
IXFK102N30P Dodavatel
IXFK102N30P Distributor
IXFK102N30P Datová tabulka
IXFK102N30P Fotky
IXFK102N30P Cena
IXFK102N30P Nabídka
IXFK102N30P Nejnižší cena
IXFK102N30P Vyhledávání
IXFK102N30P Nákup
IXFK102N30P Chip