Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK120N30T
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
Číslo dílu
IXFK120N30T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
265nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
20000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41386 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK120N30T
IXFK120N30T Elektronické komponenty
IXFK120N30T Odbyt
IXFK120N30T Dodavatel
IXFK120N30T Distributor
IXFK120N30T Datová tabulka
IXFK120N30T Fotky
IXFK120N30T Cena
IXFK120N30T Nabídka
IXFK120N30T Nejnižší cena
IXFK120N30T Vyhledávání
IXFK120N30T Nákup
IXFK120N30T Chip