Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
Číslo dílu
IXFK170N10P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
715W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
198nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28486 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK170N10P
IXFK170N10P Elektronické komponenty
IXFK170N10P Odbyt
IXFK170N10P Dodavatel
IXFK170N10P Distributor
IXFK170N10P Datová tabulka
IXFK170N10P Fotky
IXFK170N10P Cena
IXFK170N10P Nabídka
IXFK170N10P Nejnižší cena
IXFK170N10P Vyhledávání
IXFK170N10P Nákup
IXFK170N10P Chip