Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK170N20P
MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
Číslo dílu
IXFK170N20P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
1250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
185nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13993 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK170N20P
IXFK170N20P Elektronické komponenty
IXFK170N20P Odbyt
IXFK170N20P Dodavatel
IXFK170N20P Distributor
IXFK170N20P Datová tabulka
IXFK170N20P Fotky
IXFK170N20P Cena
IXFK170N20P Nabídka
IXFK170N20P Nejnižší cena
IXFK170N20P Vyhledávání
IXFK170N20P Nákup
IXFK170N20P Chip