Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK210N17T
MOSFET N-CH 170V 210A TO-264
Číslo dílu
IXFK210N17T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
1150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
170V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
285nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
18800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52995 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK210N17T
IXFK210N17T Elektronické komponenty
IXFK210N17T Odbyt
IXFK210N17T Dodavatel
IXFK210N17T Distributor
IXFK210N17T Datová tabulka
IXFK210N17T Fotky
IXFK210N17T Cena
IXFK210N17T Nabídka
IXFK210N17T Nejnižší cena
IXFK210N17T Vyhledávání
IXFK210N17T Nákup
IXFK210N17T Chip