Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK27N80Q
MOSFET N-CH 800V 27A TO-264
Číslo dílu
IXFK27N80Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
320 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49282 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK27N80Q
IXFK27N80Q Elektronické komponenty
IXFK27N80Q Odbyt
IXFK27N80Q Dodavatel
IXFK27N80Q Distributor
IXFK27N80Q Datová tabulka
IXFK27N80Q Fotky
IXFK27N80Q Cena
IXFK27N80Q Nabídka
IXFK27N80Q Nejnižší cena
IXFK27N80Q Vyhledávání
IXFK27N80Q Nákup
IXFK27N80Q Chip