Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK32N90P
MOSFET N-CH 900V 32A TO-264
Číslo dílu
IXFK32N90P
Výrobce/značka
Série
PolarHT™ HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
215nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17080 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK32N90P
IXFK32N90P Elektronické komponenty
IXFK32N90P Odbyt
IXFK32N90P Dodavatel
IXFK32N90P Distributor
IXFK32N90P Datová tabulka
IXFK32N90P Fotky
IXFK32N90P Cena
IXFK32N90P Nabídka
IXFK32N90P Nejnižší cena
IXFK32N90P Vyhledávání
IXFK32N90P Nákup
IXFK32N90P Chip