Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK36N60P

IXFK36N60P

MOSFET N-CH 600V 36A TO-264
Číslo dílu
IXFK36N60P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
650W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
102nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32147 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFK36N60P
IXFK36N60P Elektronické komponenty
IXFK36N60P Odbyt
IXFK36N60P Dodavatel
IXFK36N60P Distributor
IXFK36N60P Datová tabulka
IXFK36N60P Fotky
IXFK36N60P Cena
IXFK36N60P Nabídka
IXFK36N60P Nejnižší cena
IXFK36N60P Vyhledávání
IXFK36N60P Nákup
IXFK36N60P Chip