Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK38N80Q2
MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
Číslo dílu
IXFK38N80Q2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
735W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
220 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8340pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37966 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK38N80Q2
IXFK38N80Q2 Elektronické komponenty
IXFK38N80Q2 Odbyt
IXFK38N80Q2 Dodavatel
IXFK38N80Q2 Distributor
IXFK38N80Q2 Datová tabulka
IXFK38N80Q2 Fotky
IXFK38N80Q2 Cena
IXFK38N80Q2 Nabídka
IXFK38N80Q2 Nejnižší cena
IXFK38N80Q2 Vyhledávání
IXFK38N80Q2 Nákup
IXFK38N80Q2 Chip