Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK60N55Q2
MOSFET N-CH 550V 60A TO-264
Číslo dílu
IXFK60N55Q2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
735W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
550V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
88 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52452 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK60N55Q2
IXFK60N55Q2 Elektronické komponenty
IXFK60N55Q2 Odbyt
IXFK60N55Q2 Dodavatel
IXFK60N55Q2 Distributor
IXFK60N55Q2 Datová tabulka
IXFK60N55Q2 Fotky
IXFK60N55Q2 Cena
IXFK60N55Q2 Nabídka
IXFK60N55Q2 Nejnižší cena
IXFK60N55Q2 Vyhledávání
IXFK60N55Q2 Nákup
IXFK60N55Q2 Chip