Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK64N60P
MOSFET N-CH 600V 64A TO-264
Číslo dílu
IXFK64N60P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
1040W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
96 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33661 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK64N60P
IXFK64N60P Elektronické komponenty
IXFK64N60P Odbyt
IXFK64N60P Dodavatel
IXFK64N60P Distributor
IXFK64N60P Datová tabulka
IXFK64N60P Fotky
IXFK64N60P Cena
IXFK64N60P Nabídka
IXFK64N60P Nejnižší cena
IXFK64N60P Vyhledávání
IXFK64N60P Nákup
IXFK64N60P Chip