Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK80N50Q3

IXFK80N50Q3

MOSFET N-CH 500V 80A TO-264
Číslo dílu
IXFK80N50Q3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
1250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47218 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFK80N50Q3
IXFK80N50Q3 Elektronické komponenty
IXFK80N50Q3 Odbyt
IXFK80N50Q3 Dodavatel
IXFK80N50Q3 Distributor
IXFK80N50Q3 Datová tabulka
IXFK80N50Q3 Fotky
IXFK80N50Q3 Cena
IXFK80N50Q3 Nabídka
IXFK80N50Q3 Nejnižší cena
IXFK80N50Q3 Vyhledávání
IXFK80N50Q3 Nákup
IXFK80N50Q3 Chip