Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN100N10S1
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN100N10S1
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
360W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38272 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFN100N10S1
IXFN100N10S1 Elektronické komponenty
IXFN100N10S1 Odbyt
IXFN100N10S1 Dodavatel
IXFN100N10S1 Distributor
IXFN100N10S1 Datová tabulka
IXFN100N10S1 Fotky
IXFN100N10S1 Cena
IXFN100N10S1 Nabídka
IXFN100N10S1 Nejnižší cena
IXFN100N10S1 Vyhledávání
IXFN100N10S1 Nákup
IXFN100N10S1 Chip