Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN100N50P

IXFN100N50P

MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN100N50P
Výrobce/značka
Série
PolarHV™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
1040W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
49 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
20000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52409 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN100N50P
IXFN100N50P Elektronické komponenty
IXFN100N50P Odbyt
IXFN100N50P Dodavatel
IXFN100N50P Distributor
IXFN100N50P Datová tabulka
IXFN100N50P Fotky
IXFN100N50P Cena
IXFN100N50P Nabídka
IXFN100N50P Nejnižší cena
IXFN100N50P Vyhledávání
IXFN100N50P Nákup
IXFN100N50P Chip