Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN100N65X2

IXFN100N65X2

MOSFET N-CH
Číslo dílu
IXFN100N65X2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
595W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
78A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
183nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49897 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN100N65X2
IXFN100N65X2 Elektronické komponenty
IXFN100N65X2 Odbyt
IXFN100N65X2 Dodavatel
IXFN100N65X2 Distributor
IXFN100N65X2 Datová tabulka
IXFN100N65X2 Fotky
IXFN100N65X2 Cena
IXFN100N65X2 Nabídka
IXFN100N65X2 Nejnižší cena
IXFN100N65X2 Vyhledávání
IXFN100N65X2 Nákup
IXFN100N65X2 Chip