Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN120N20

IXFN120N20

MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN120N20
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
600W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
360nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40900 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN120N20
IXFN120N20 Elektronické komponenty
IXFN120N20 Odbyt
IXFN120N20 Dodavatel
IXFN120N20 Distributor
IXFN120N20 Datová tabulka
IXFN120N20 Fotky
IXFN120N20 Cena
IXFN120N20 Nabídka
IXFN120N20 Nejnižší cena
IXFN120N20 Vyhledávání
IXFN120N20 Nákup
IXFN120N20 Chip