Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN140N25T
MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
Číslo dílu
IXFN140N25T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™ HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
690W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
255nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
19000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15145 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFN140N25T
IXFN140N25T Elektronické komponenty
IXFN140N25T Odbyt
IXFN140N25T Dodavatel
IXFN140N25T Distributor
IXFN140N25T Datová tabulka
IXFN140N25T Fotky
IXFN140N25T Cena
IXFN140N25T Nabídka
IXFN140N25T Nejnižší cena
IXFN140N25T Vyhledávání
IXFN140N25T Nákup
IXFN140N25T Chip