Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN150N10

IXFN150N10

MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
Číslo dílu
IXFN150N10
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
520W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
360nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45258 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN150N10
IXFN150N10 Elektronické komponenty
IXFN150N10 Odbyt
IXFN150N10 Dodavatel
IXFN150N10 Distributor
IXFN150N10 Datová tabulka
IXFN150N10 Fotky
IXFN150N10 Cena
IXFN150N10 Nabídka
IXFN150N10 Nejnižší cena
IXFN150N10 Vyhledávání
IXFN150N10 Nákup
IXFN150N10 Chip