Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN170N30P

IXFN170N30P

MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN170N30P
Výrobce/značka
Série
Polar™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
138A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
258nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
20000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32896 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN170N30P
IXFN170N30P Elektronické komponenty
IXFN170N30P Odbyt
IXFN170N30P Dodavatel
IXFN170N30P Distributor
IXFN170N30P Datová tabulka
IXFN170N30P Fotky
IXFN170N30P Cena
IXFN170N30P Nabídka
IXFN170N30P Nejnižší cena
IXFN170N30P Vyhledávání
IXFN170N30P Nákup
IXFN170N30P Chip