Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN20N120P

IXFN20N120P

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN20N120P
Výrobce/značka
Série
Polar™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
595W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
193nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37788 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN20N120P
IXFN20N120P Elektronické komponenty
IXFN20N120P Odbyt
IXFN20N120P Dodavatel
IXFN20N120P Distributor
IXFN20N120P Datová tabulka
IXFN20N120P Fotky
IXFN20N120P Cena
IXFN20N120P Nabídka
IXFN20N120P Nejnižší cena
IXFN20N120P Vyhledávání
IXFN20N120P Nákup
IXFN20N120P Chip