Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN21N100Q

IXFN21N100Q

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN21N100Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
520W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
500 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45986 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN21N100Q
IXFN21N100Q Elektronické komponenty
IXFN21N100Q Odbyt
IXFN21N100Q Dodavatel
IXFN21N100Q Distributor
IXFN21N100Q Datová tabulka
IXFN21N100Q Fotky
IXFN21N100Q Cena
IXFN21N100Q Nabídka
IXFN21N100Q Nejnižší cena
IXFN21N100Q Vyhledávání
IXFN21N100Q Nákup
IXFN21N100Q Chip