Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN230N20T
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
Číslo dílu
IXFN230N20T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
1090W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
220A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
378nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
28000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21356 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFN230N20T
IXFN230N20T Elektronické komponenty
IXFN230N20T Odbyt
IXFN230N20T Dodavatel
IXFN230N20T Distributor
IXFN230N20T Datová tabulka
IXFN230N20T Fotky
IXFN230N20T Cena
IXFN230N20T Nabídka
IXFN230N20T Nejnižší cena
IXFN230N20T Vyhledávání
IXFN230N20T Nákup
IXFN230N20T Chip