Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN260N17T

IXFN260N17T

MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227
Číslo dílu
IXFN260N17T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
1090W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
170V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
245A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
400nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
24000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21138 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN260N17T
IXFN260N17T Elektronické komponenty
IXFN260N17T Odbyt
IXFN260N17T Dodavatel
IXFN260N17T Distributor
IXFN260N17T Datová tabulka
IXFN260N17T Fotky
IXFN260N17T Cena
IXFN260N17T Nabídka
IXFN260N17T Nejnižší cena
IXFN260N17T Vyhledávání
IXFN260N17T Nákup
IXFN260N17T Chip