Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN300N10P

IXFN300N10P

MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
Číslo dílu
IXFN300N10P
Výrobce/značka
Série
Polar™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
1070W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
295A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
279nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9512 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN300N10P
IXFN300N10P Elektronické komponenty
IXFN300N10P Odbyt
IXFN300N10P Dodavatel
IXFN300N10P Distributor
IXFN300N10P Datová tabulka
IXFN300N10P Fotky
IXFN300N10P Cena
IXFN300N10P Nabídka
IXFN300N10P Nejnižší cena
IXFN300N10P Vyhledávání
IXFN300N10P Nákup
IXFN300N10P Chip