Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN32N100P

IXFN32N100P

MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN32N100P
Výrobce/značka
Série
Polar™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
690W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
320 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
225nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33441 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN32N100P
IXFN32N100P Elektronické komponenty
IXFN32N100P Odbyt
IXFN32N100P Dodavatel
IXFN32N100P Distributor
IXFN32N100P Datová tabulka
IXFN32N100P Fotky
IXFN32N100P Cena
IXFN32N100P Nabídka
IXFN32N100P Nejnižší cena
IXFN32N100P Vyhledávání
IXFN32N100P Nákup
IXFN32N100P Chip