Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN36N100
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN36N100
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
700W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
240 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
380nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25658 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFN36N100
IXFN36N100 Elektronické komponenty
IXFN36N100 Odbyt
IXFN36N100 Dodavatel
IXFN36N100 Distributor
IXFN36N100 Datová tabulka
IXFN36N100 Fotky
IXFN36N100 Cena
IXFN36N100 Nabídka
IXFN36N100 Nejnižší cena
IXFN36N100 Vyhledávání
IXFN36N100 Nákup
IXFN36N100 Chip