Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN38N100Q2

IXFN38N100Q2

MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
Číslo dílu
IXFN38N100Q2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
250 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37875 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN38N100Q2
IXFN38N100Q2 Elektronické komponenty
IXFN38N100Q2 Odbyt
IXFN38N100Q2 Dodavatel
IXFN38N100Q2 Distributor
IXFN38N100Q2 Datová tabulka
IXFN38N100Q2 Fotky
IXFN38N100Q2 Cena
IXFN38N100Q2 Nabídka
IXFN38N100Q2 Nejnižší cena
IXFN38N100Q2 Vyhledávání
IXFN38N100Q2 Nákup
IXFN38N100Q2 Chip