Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN40N110P

IXFN40N110P

MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN40N110P
Výrobce/značka
Série
Polar™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
260 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
310nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
19000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28603 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN40N110P
IXFN40N110P Elektronické komponenty
IXFN40N110P Odbyt
IXFN40N110P Dodavatel
IXFN40N110P Distributor
IXFN40N110P Datová tabulka
IXFN40N110P Fotky
IXFN40N110P Cena
IXFN40N110P Nabídka
IXFN40N110P Nejnižší cena
IXFN40N110P Vyhledávání
IXFN40N110P Nákup
IXFN40N110P Chip