Koupit IXYS IXFN50N120SIC MOSFET N-CH

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

IXFN50N120SIC

MOSFET N-CH

Číslo dílu

IXFN50N120SIC

Výrobce/značka

IXYS

Série

Stav sekce

Active

Obal

Technika

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Provozní teplota

-40°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Chassis Mount

Balíček/pouzdro

SOT-227-4, miniBLOC

Dodavatelský balíček zařízení

SOT-227B

Ztráta energie (max.)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

1200V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

47A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

50 mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 2mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 1000V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

20V

VGS (max.)

+20V, -5V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 34094 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

IXFN100N10S1