Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN62N80Q3

IXFN62N80Q3

MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
Číslo dílu
IXFN62N80Q3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
140 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48140 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN62N80Q3
IXFN62N80Q3 Elektronické komponenty
IXFN62N80Q3 Odbyt
IXFN62N80Q3 Dodavatel
IXFN62N80Q3 Distributor
IXFN62N80Q3 Datová tabulka
IXFN62N80Q3 Fotky
IXFN62N80Q3 Cena
IXFN62N80Q3 Nabídka
IXFN62N80Q3 Nejnižší cena
IXFN62N80Q3 Vyhledávání
IXFN62N80Q3 Nákup
IXFN62N80Q3 Chip