Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN66N85X
850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Číslo dílu
IXFN66N85X
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
830W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
850V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32074 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFN66N85X
IXFN66N85X Elektronické komponenty
IXFN66N85X Odbyt
IXFN66N85X Dodavatel
IXFN66N85X Distributor
IXFN66N85X Datová tabulka
IXFN66N85X Fotky
IXFN66N85X Cena
IXFN66N85X Nabídka
IXFN66N85X Nejnižší cena
IXFN66N85X Vyhledávání
IXFN66N85X Nákup
IXFN66N85X Chip