Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFR102N30P

IXFR102N30P

MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247
Číslo dílu
IXFR102N30P
Výrobce/značka
Série
PolarHT™ HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS247™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
36 mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
224nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16030 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFR102N30P
IXFR102N30P Elektronické komponenty
IXFR102N30P Odbyt
IXFR102N30P Dodavatel
IXFR102N30P Distributor
IXFR102N30P Datová tabulka
IXFR102N30P Fotky
IXFR102N30P Cena
IXFR102N30P Nabídka
IXFR102N30P Nejnižší cena
IXFR102N30P Vyhledávání
IXFR102N30P Nákup
IXFR102N30P Chip