Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFR12N100
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Číslo dílu
IXFR12N100
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS247™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.1 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11075 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFR12N100
IXFR12N100 Elektronické komponenty
IXFR12N100 Odbyt
IXFR12N100 Dodavatel
IXFR12N100 Distributor
IXFR12N100 Datová tabulka
IXFR12N100 Fotky
IXFR12N100 Cena
IXFR12N100 Nabídka
IXFR12N100 Nejnižší cena
IXFR12N100 Vyhledávání
IXFR12N100 Nákup
IXFR12N100 Chip