Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFR18N90P
MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
Číslo dílu
IXFR18N90P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS247™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
97nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5230pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50264 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFR18N90P
IXFR18N90P Elektronické komponenty
IXFR18N90P Odbyt
IXFR18N90P Dodavatel
IXFR18N90P Distributor
IXFR18N90P Datová tabulka
IXFR18N90P Fotky
IXFR18N90P Cena
IXFR18N90P Nabídka
IXFR18N90P Nejnižší cena
IXFR18N90P Vyhledávání
IXFR18N90P Nákup
IXFR18N90P Chip