Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFR20N120P
MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247
Číslo dílu
IXFR20N120P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS247™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
290W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
630 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
193nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12906 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFR20N120P
IXFR20N120P Elektronické komponenty
IXFR20N120P Odbyt
IXFR20N120P Dodavatel
IXFR20N120P Distributor
IXFR20N120P Datová tabulka
IXFR20N120P Fotky
IXFR20N120P Cena
IXFR20N120P Nabídka
IXFR20N120P Nejnižší cena
IXFR20N120P Vyhledávání
IXFR20N120P Nákup
IXFR20N120P Chip