Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFR21N100Q
MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247
Číslo dílu
IXFR21N100Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS247™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
350W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
500 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16685 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFR21N100Q
IXFR21N100Q Elektronické komponenty
IXFR21N100Q Odbyt
IXFR21N100Q Dodavatel
IXFR21N100Q Distributor
IXFR21N100Q Datová tabulka
IXFR21N100Q Fotky
IXFR21N100Q Cena
IXFR21N100Q Nabídka
IXFR21N100Q Nejnižší cena
IXFR21N100Q Vyhledávání
IXFR21N100Q Nákup
IXFR21N100Q Chip