Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFR30N110P
MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247
Číslo dílu
IXFR30N110P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS247™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
320W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17495 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFR30N110P
IXFR30N110P Elektronické komponenty
IXFR30N110P Odbyt
IXFR30N110P Dodavatel
IXFR30N110P Distributor
IXFR30N110P Datová tabulka
IXFR30N110P Fotky
IXFR30N110P Cena
IXFR30N110P Nabídka
IXFR30N110P Nejnižší cena
IXFR30N110P Vyhledávání
IXFR30N110P Nákup
IXFR30N110P Chip