Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFR32N100P
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Číslo dílu
IXFR32N100P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS247™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
320W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
340 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
225nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40849 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFR32N100P
IXFR32N100P Elektronické komponenty
IXFR32N100P Odbyt
IXFR32N100P Dodavatel
IXFR32N100P Distributor
IXFR32N100P Datová tabulka
IXFR32N100P Fotky
IXFR32N100P Cena
IXFR32N100P Nabídka
IXFR32N100P Nejnižší cena
IXFR32N100P Vyhledávání
IXFR32N100P Nákup
IXFR32N100P Chip