Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFR32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
Číslo dílu
IXFR32N100Q3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
570W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
350 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9940pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54584 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFR32N100Q3
IXFR32N100Q3 Elektronické komponenty
IXFR32N100Q3 Odbyt
IXFR32N100Q3 Dodavatel
IXFR32N100Q3 Distributor
IXFR32N100Q3 Datová tabulka
IXFR32N100Q3 Fotky
IXFR32N100Q3 Cena
IXFR32N100Q3 Nabídka
IXFR32N100Q3 Nejnižší cena
IXFR32N100Q3 Vyhledávání
IXFR32N100Q3 Nákup
IXFR32N100Q3 Chip