Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFR36N50P
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
Číslo dílu
IXFR36N50P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS247™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
93nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28544 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFR36N50P
IXFR36N50P Elektronické komponenty
IXFR36N50P Odbyt
IXFR36N50P Dodavatel
IXFR36N50P Distributor
IXFR36N50P Datová tabulka
IXFR36N50P Fotky
IXFR36N50P Cena
IXFR36N50P Nabídka
IXFR36N50P Nejnižší cena
IXFR36N50P Vyhledávání
IXFR36N50P Nákup
IXFR36N50P Chip