Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFR36N60P

IXFR36N60P

MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247
Číslo dílu
IXFR36N60P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS247™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
208W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
102nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24992 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFR36N60P
IXFR36N60P Elektronické komponenty
IXFR36N60P Odbyt
IXFR36N60P Dodavatel
IXFR36N60P Distributor
IXFR36N60P Datová tabulka
IXFR36N60P Fotky
IXFR36N60P Cena
IXFR36N60P Nabídka
IXFR36N60P Nejnižší cena
IXFR36N60P Vyhledávání
IXFR36N60P Nákup
IXFR36N60P Chip