Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFR38N80Q2
MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
Číslo dílu
IXFR38N80Q2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS247™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
416W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
240 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8340pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24125 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFR38N80Q2
IXFR38N80Q2 Elektronické komponenty
IXFR38N80Q2 Odbyt
IXFR38N80Q2 Dodavatel
IXFR38N80Q2 Distributor
IXFR38N80Q2 Datová tabulka
IXFR38N80Q2 Fotky
IXFR38N80Q2 Cena
IXFR38N80Q2 Nabídka
IXFR38N80Q2 Nejnižší cena
IXFR38N80Q2 Vyhledávání
IXFR38N80Q2 Nákup
IXFR38N80Q2 Chip