Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MMIX1F160N30T
MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
Číslo dílu
MMIX1F160N30T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
24-PowerSMD, 21 Leads
Dodavatelský balíček zařízení
24-SMPD
Ztráta energie (max.)
570W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
335nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17464 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MMIX1F160N30T
MMIX1F160N30T Elektronické komponenty
MMIX1F160N30T Odbyt
MMIX1F160N30T Dodavatel
MMIX1F160N30T Distributor
MMIX1F160N30T Datová tabulka
MMIX1F160N30T Fotky
MMIX1F160N30T Cena
MMIX1F160N30T Nabídka
MMIX1F160N30T Nejnižší cena
MMIX1F160N30T Vyhledávání
MMIX1F160N30T Nákup
MMIX1F160N30T Chip