Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MMIX1F180N25T
MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
Číslo dílu
MMIX1F180N25T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
24-PowerSMD, 21 Leads
Dodavatelský balíček zařízení
24-SMPD
Ztráta energie (max.)
570W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
132A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
364nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
23800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40198 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MMIX1F180N25T
MMIX1F180N25T Elektronické komponenty
MMIX1F180N25T Odbyt
MMIX1F180N25T Dodavatel
MMIX1F180N25T Distributor
MMIX1F180N25T Datová tabulka
MMIX1F180N25T Fotky
MMIX1F180N25T Cena
MMIX1F180N25T Nabídka
MMIX1F180N25T Nejnižší cena
MMIX1F180N25T Vyhledávání
MMIX1F180N25T Nákup
MMIX1F180N25T Chip