Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
LSIC1MO120E0080
MOSFET SIC 1200V 25A TO-247-3L
Číslo dílu
LSIC1MO120E0080
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247-3
Ztráta energie (max.)
179W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1825pF @ 800V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
VGS (max.)
+22V, -6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46399 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova LSIC1MO120E0080
LSIC1MO120E0080 Elektronické komponenty
LSIC1MO120E0080 Odbyt
LSIC1MO120E0080 Dodavatel
LSIC1MO120E0080 Distributor
LSIC1MO120E0080 Datová tabulka
LSIC1MO120E0080 Fotky
LSIC1MO120E0080 Cena
LSIC1MO120E0080 Nabídka
LSIC1MO120E0080 Nejnižší cena
LSIC1MO120E0080 Vyhledávání
LSIC1MO120E0080 Nákup
LSIC1MO120E0080 Chip