Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
LSIC1MO120E0160
SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
Číslo dílu
LSIC1MO120E0160
Výrobce/značka
Stav sekce
Active
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247-3
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 800V
VGS (max.)
+22V, -6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35988 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova LSIC1MO120E0160
LSIC1MO120E0160 Elektronické komponenty
LSIC1MO120E0160 Odbyt
LSIC1MO120E0160 Dodavatel
LSIC1MO120E0160 Distributor
LSIC1MO120E0160 Datová tabulka
LSIC1MO120E0160 Fotky
LSIC1MO120E0160 Cena
LSIC1MO120E0160 Nabídka
LSIC1MO120E0160 Nejnižší cena
LSIC1MO120E0160 Vyhledávání
LSIC1MO120E0160 Nákup
LSIC1MO120E0160 Chip