PHB20N06T,118
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
Číslo dílu
PHB20N06T,118
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
62W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
75 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
483pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21452 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PHB20N06T,118
PHB20N06T,118 Elektronické komponenty
PHB20N06T,118 Odbyt
PHB20N06T,118 Dodavatel
PHB20N06T,118 Distributor
PHB20N06T,118 Datová tabulka
PHB20N06T,118 Fotky
PHB20N06T,118 Cena
PHB20N06T,118 Nabídka
PHB20N06T,118 Nejnižší cena
PHB20N06T,118 Vyhledávání
PHB20N06T,118 Nákup
PHB20N06T,118 Chip