PHB21N06LT,118
MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
Číslo dílu
PHB21N06LT,118
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
56W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
70 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49727 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PHB21N06LT,118
PHB21N06LT,118 Elektronické komponenty
PHB21N06LT,118 Odbyt
PHB21N06LT,118 Dodavatel
PHB21N06LT,118 Distributor
PHB21N06LT,118 Datová tabulka
PHB21N06LT,118 Fotky
PHB21N06LT,118 Cena
PHB21N06LT,118 Nabídka
PHB21N06LT,118 Nejnižší cena
PHB21N06LT,118 Vyhledávání
PHB21N06LT,118 Nákup
PHB21N06LT,118 Chip